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半導體技術 英特爾、台積電各擅勝場

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工商時報【涂志豪╱新聞分析】

半導體製程誰領先?其實單就晶片製造技術的角度來看,英特爾的確仍是市場龍頭,不論是高介電金屬閘極(HKMG)或是3D電晶體架構,仍是領先全球最先採用的廠商,之後台積電及三星才跟進。雖然台積電今年已量產10奈米製程,但至今仍不敢講出技術上已超越英特爾這句話。

若由摩爾定律的定義,也就是積體電路中的電晶體數量,每隔18~24個月就會增加一倍的情況來看,英特爾的製程節點的確是按摩爾定律發展。就最先進的10奈米鰭式場效電晶體(FinFET)技術而言,每平方公釐內含電晶體數超過1億個,電晶體閘極間距(gate pitch)達54奈米,最小金屬間距(min metal pitch)僅36奈米,都已創下半導體業界新紀錄。

以台積電或三星的10奈米FinFET製程來看,不僅晶片集積度不如英特爾,閘極間距約70奈米左右,最小金屬間距約在40奈米左右,也與英特爾10奈米技術有所差距。也因此,英特爾才會在昨日的技術及製程大會中,強調自己仍是全球技術最先進的半導體廠。

不過,英特爾的主力產品是處理器,處理器本來就是要追求最高的晶片集積度,才能不斷的提升運算時脈速度。但對晶圓代工廠台積電等業者來說,許多客戶的晶片並不是要追求最高的集積度。如手機晶片來說,運算時脈很快其實不代表什麼,更低的運算功耗、更多的功能整合,反而才是重點。

對台積電來說,該公司的10奈米製程本來就跟英特爾的10奈米製程不一樣,微縮的速度、製程節點的界定等,各有各的優缺點。簡單來說,英特爾在最小閘極間距及最小金屬閘距上,以及晶片集積度上,的確勝過台積電,但在功耗的表現上,台積電的每一世代製程微縮,都可讓功耗明顯降低,英特爾的製程表現似乎就沒那麼明確。

總體來看,英特爾及台積電在半導體技術上是各擅勝場,且兩家業者是處於既競爭又合作的關係之中,但在先進製程上、兩家業者卻有個共通點,那就是「摩爾定律仍網購梨山水果水蜜桃產季然有效」。

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